高速器件采用3.2mm x 2.51mm x 1.2mm SMD侧视封装和GaAIAs表面发射器以及MQW技术，发光强度达到82mW/sr
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用3.2mm x 2.51mm x 1.2mm透明SMD侧视封装的新款940nm高速红外发光二极管---VSMY14940和VSMB14940。这两款器件基于GaAIAs表面发射器和多量子井(MQW)技术，具有高发光强度和光功率，以及快速的开关时间。
Vishay Semiconductors的VSMY14940和VSMB14940高度极低，半强角只有±9°，非常适合空间受限的终端产品中的遥控应用，如智能手机和平板电脑等移动设备。另外，这些器件还可以用作光栅和烟雾探测器的高强度发射器。
基于GaAIAs表面发射器芯片技术，VSMY14940在70mA驱动电流下实现了82mW/sr的极高发光强度，10ns的快速开关时间，以及1.48V的正向电压。在需要较低发光强度的应用里，采用GaAIAs MQW的VSMB14940能够提供35mW/sr的发光强度，15ns的开关时间和低至1.33V的正向电压。
今天推出的发光二极管符合RoHS和Vishay Green标准，无卤素，无铅，可采用温度达260℃的无铅焊接。器件可以在车间里存放168小时，潮湿敏感度等级(MSL)达到J-STD-020规定的3级。
器件规格表：
型号VSMY14940VSMB14940
技术GaAIAs, 表面发射器GaAIAs, MQW
发光强度 (mW/sr)8235
发光功率 (mW)4028
正向电压 (V)1.481.33
开关时间 (ns)1015
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