本产品已于2013年10月份开始出售样品(样品价格80日元/个)，计划于2014年6月份开始以月产1000万个的规模投入量产。前期工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.(日本京都总部)和ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈县)，后期工序的生产基地为ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰国)。

　　※　截至2014年3月10日ROHM调查数据

　　<背景>

　　近年来，在以智能手机和可穿戴式设备为首的电子设备市场，配套设备的小型化与高性能化日益发展，对于所搭载的电子元器件的小型化、薄型化要求也日益强烈。

　　而另一方面，晶体管不仅具有接合的稳定性、封装的加工精度等技术性课题，而且因所搭载元件尺寸受限导致导通电阻上升，因此，产品阵容一直局限于20V耐压的产品。

　　<特点>

　　1.　实现世界最小尺寸，安装面积大幅缩减

　　此次，通过新型封装和元件的新工艺，ROHM成功开发出世界最小尺寸的晶体管“VML0604”(0.6mm×0.4mm，高度0.36mm)。

　　在封装技术方面，通过优化内部结构，并导入高精度的封装加工技术，与以往最小晶体管封装VML0806(0.8mm×0.6mm，高度0.36mm)相比，安装面积缩减了50%。作为晶体管封装，已达到世界最小尺寸。

　　该新型封装预计将会扩大应用到小信号MOSFET产品，将为各种配套产品进一步节省空间、实现高密度化做出贡献。

　　2.　确保引脚间隔，安装性良好

　　随着小型化的日益发展，产品在PCB板上的安装越来越难。

　　此次通过确保引脚间隔0.2mm，保持了良好的安装性。

　　3. 在小型化基础上，实现世界最高级别的低导通电阻

　　由于封装的小型化，导致可搭载的元件尺寸受到限制。元件的尺寸很小时，导通电阻就非常高，往往很难保持以往的小信号晶体管的性能。

　　但是，本产品的元件采用了新工艺，从而作为30V耐压产品的超小型晶体管实现了世界最高性能※的低导通电阻0.25Ω(VGS=4.5V时)。

　　4. 新增 40～60V耐压产品，实现丰富的产品阵容

　　由于比以往产品耐压更高也可保持低导通电阻，因此，新增耐压达40～60V的产品，完善了产品阵容。

　　<术语解说>

　　・MOSFET

　　以高速开关为特点的晶体管的一种。

　　・导通电阻

　　给栅极-源极间施加任意电压时的漏极-源极之间的电阻值。该值越小，电流越容易流通，损耗越小。