RAM存储单元 - 安防知识网

1．静态存储单元（SRAM）　　存储原理：由触发器存储数据；　　单元结构：六管NMOS或OS构成；　　优点：速度快、使用简单、不需刷新、静态...

1．静态存储单元（SRAM）

　　存储原理：由触发器存储数据；

　　单元结构：六管NMOS或OS构成；

　　优点：速度快、使用简单、不需刷新、静态功耗极低；常用作Cache；

　　缺点：元件数多、集成度低、功耗大；

　　常用的SRAM集成芯片：6116(2K×8位)，6264(8K×8位)，62256(32K×8位)，2114(1K×4位)。

　　2．动态存储单元（DRAM）

　　存贮原理：利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理，需刷新（早期：三管基本单元；现在：单管基本单元）；

　　刷新(再生)：为及时补充漏掉的电荷以避免存储的信息丢失，必须定时给栅极电容补充电荷的操作；

　　刷新时间：定期进行刷新操作的时间。该时间必须小于栅极电容自然保持信息的时间（小于2ms）；

　　优点：集成度远高于SRAM、功耗低，价格也低；

　　缺点：因需刷新而使外围电路复杂；刷新也使存取速度较SRAM慢，所以在计算机中，DRAM常用于作主存储器。尽管如此，由于DRAM[1]存储单元的结构简单，所用元件少，集成度高，功耗低，所以目前已成为大容量RAM的主流产品。