高速高压侧受保护N沟道MOSFET驱动器输入电压150V - 安防知识网

ADI旗下凌力尔特推出一款可在工业级、高温汽车、军工级应用中使用的，采用150V输入电压工作的快速高压侧N沟道MOSFET栅极驱动器。

　　今天，ADI旗下凌力尔特推出一款可在工业级、高温汽车、军工级应用中使用的，采用150V输入电压工作的快速高压侧N沟道MOSFET栅极驱动器。这款型号为：LTC7000/-1的1Ω 栅极驱动器非常适合应用于高频开关和静态开关，器件能够以极短的转换时间来驱动大栅极电容MOSFET。LTC7000/-1能无限期保持导通，这是由于其内部充电泵全面强化一个外部 N 沟道 MOSFET 开关。

　　LTC7000/-1 可在 3.5V 至 135V (150VPK) 输入电源范围和一个 3.5V 至 15V 偏置电压范围内工作。它通过监视一个与外部 MOSFET 之漏极串联的外部检测电阻器两端之电压来检测过流情况。当 LTC7000/-1 检测到开关电流超过某个预设水平时，则确定一个故障标记，并关断开关一段时间，而这段时间是由一个外部定时电容器设定。在经过一个预定的时间段之后，LTC7000/-1 自动执行重试操作。

　　LTC7000/-1 专为接收一个参考于地的低电压数字输入信号和快速驱动一个漏极电压会高出地电位达 150V 的高压侧 N 沟道功率 MOSFET 而设计。13ns 的快速上升和下降时间 (当驱动一个 1000pF 负载) 最大限度降低了开关损耗。LTC7000 是全功能器件并具有比 LTC7000-1 更多的特点，包括使能、过压闭锁、可调电流限制和电流监视。

　　LTC7000 采用 MSOP-16 封装，而 LTC7000-1 则采用 MSOP-16 (12) 封装，后者去掉了 4 个引脚以提供高电压间隔。该器件可提供三种工作结温等级，扩展和工业版本为 –40°C 至 125°C，高温汽车版本为 –40°C 至 150°C，而军用等级则为 –55°C 至 150°C。

　　图片说明：高压侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器