72层的3D NAND闪存芯片让SK海力士领先三星和东芝的64层。
海力士（SK Hynix）稍早前推出72层，容量为256Gb的3D NAND 闪存芯片。这种芯片比 48层技术多1.5倍，单个 256Gb NAND 闪存芯片可以提供 32GB 闪存，一片封装完成的闪存芯片的最高容量将达到512GB，可以开发出高容量的固态硬盘(SSD)，且成本更低。
这种芯片比 48 层 3D NAND 芯片的内部运行速度快两倍，读写性能快 20%。SK海力士还打算在Q4将把单晶片容量做到翻番。
在第四次工业革命中，3D NAND需求将在
人工智能、大数据和云存储方面快速增长。据Gartner介绍，NAND Flash市场收入预计今年将达到465亿美元，2021年后续增长达565亿美元。
2016年4月海力士开发出36 层 128Gb 3D NAND 芯片，2016年11月开始生产 48 层 256Gb 3D NAND 芯片。该公司表示，由于层数更多，利用现有的生产线，产能可以提升 30%。海力士将在今年下半年开始量产。
另外，除了SSD，SK海力士称，相关芯片也会用于智能手机。SK Hynix将在今年下半年大规模生产256Gb 3D NAND，并计划将产品扩大到固态硬盘和智能手机等移动设备，以进一步提升其对DRAM的业务结构。
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