采用TSV技术制造的器件具有垂直电极和贯穿硅芯片模的通孔以提供连接，这种结构在降低功耗的同时，可实现高速数据输入和输出。其实际性能在之前推出东芝二维NAND闪存时已得到验证。
结合48层3D闪存制程和TSV技术，使东芝内存公司能够成功增加产品程序设计带宽，同时获致低功耗。单一封装的功率效率是采用引线接合技术制造的同一代BiCS FLASH闪存功率效率的近两倍。TSV BiCS FLASH还在单一封装内实现了具有16颗粒堆栈式结构的1TB存储设备。
东芝内存公司将推动采用TSV技术的BiCS FLASH的商业化，为包括高阶企业级SSD在内的储存应用提供理想的低延迟、高带宽和高IOPS/watt解决方案。
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