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联电加速布局第三代半导体制造领域

联电首席财务官刘启东对此回应称,集团在第三代半导体的发展上,仍以联颖为主,联电则进行研发,不过确实有在合作,但细节不便透露。

  据中国台湾地区经济日报报道,联电加速布局难度更高、经济效益更好的 8 英寸晶圆第三代半导体制造领域,近期大举购置新机台扩产,预计下半年进驻厂区。

  台媒指出,联电此前的第三代半导体布局,主要通过转投资联颖切入,锁定 6 英寸氮化镓产品。

  供应链则透露,联电近期扩大第三代半导体布局,自行购置蚀刻、薄膜新机台,预计下半年将进驻 8 英寸 AB 厂,瞄准 8 英寸晶圆生产第三代半导体的经济效益优于 6 英寸晶圆的方向。

  联电首席财务官刘启东对此回应称,集团在第三代半导体的发展上,仍以联颖为主,联电则进行研发,不过确实有在合作,但细节不便透露。

  业界分析,第三代半导体薄膜厚度比一般晶圆代工还厚,很容易导致晶圆弯曲,考虑到制程难度,目前业界发展第三代半导体多以 6 英寸为主。不过,6 英寸晶圆半径是 5cm,8 寸晶圆半径则是 10cm,所以 8 英寸相对 6 英寸,一片可以产出的芯片量会“多出很多”,在经济效益较高的前提下,联电切入 8 英寸第三代半导体领域。


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