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华润微推出基于 0.153μm HD BCD 工艺的 eFlash 闪存 IP

华润上华的0.153μm HD(High Density)BCD工艺平台采用基于数模混合工艺的BCD架构工艺,电压范围有1.8V-5V/7V-40V等多种档位,提供1.8V+多种eNVM数字解决方案,主要覆盖智能SOC电源等领域。
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  近日,华润微电子有限公司(“华润微”)旗下的无锡华润上华科技有限公司(“华润上华”)宣布,公司在0.153μm HD BCD工艺平台上实现了Logic eFlash嵌入式存储技术与BCD技术的结合,这在国内尚属首创。

  该工艺平台的eFlash采用了成都锐成芯微科技股份有限公司(“锐成芯微”)的LogicFlash Pro专利技术。

  据介绍,华润上华的0.153μm HD(High Density)BCD工艺平台采用基于数模混合工艺的BCD架构工艺,电压范围有1.8V-5V/7V-40V等多种档位,提供1.8V+多种eNVM数字解决方案,主要覆盖智能SOC电源、微处理器、智慧家居和汽车电子等应用领域。

  锐成芯微的LogicFlash Pro技术包括创新的存储单元架构、工艺实现方法和IP核。得益于该技术独特的实现方式,大大简化了业界流行的eFlash技术的光罩层数和工艺步骤,不仅维持了原有高压器件的高性能,也增加了具有高可靠性的eFlash,能帮助芯片企业将模拟芯片和控制芯片合二为一,有效控制整体的系统成本。

  基于华润上华的BCD工艺,该eFlash IP具有集成简便、可靠性高、兼容性广等特点,也让其可适用于家用电器、工业电子及汽车电子等多种高温环境和高可靠性场景下的应用,并且已展现优异的测试性能和结果,包括125℃高温操作寿命大于1000小时,125℃的高温数据保持能力超过10年,擦除写入次数大于10万次,该IP方案已被知名汽车芯片厂商采用。


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