“耐疲劳铁电材料”开发，存储芯片无限擦写 - 安防知识网

基于二维3R-MoS2滑移铁电材料，团队联合提出一种性能优异的抗疲劳铁电系统，开发出“耐疲劳铁电材料”，在全球范围内率先攻克困扰领域内70多年的铁电材料疲劳问题。

　　随着业界对高带宽存储(HBM)这类DRAM的大力投资，通用型DRAM的产能利用率相对较低，三星和SK海力士的产能利用率仅在80%到90%之间，与NAND闪存的全速生产形成鲜明对比，通用型DRAM内存芯片可能面临供应短缺的局面。

　　与HBM DRAM相比，通用型DRAM指的是用于手机、PC的内存芯片，这一供应短缺的信号可能预示着DRAM内存芯片的价格上涨。自2024年初以来，通用型DRAM的产能仅提升了大约10%，而智能手机、PC和服务器市场的增长率预计仅为2%到3%。全球云计算和科技公司在AI基础设施上的投资削减，也未能显著推动DRAM需求的复苏。尽管业界对通用型DRAM需求反弹持谨慎乐观态度，但这一可能性很大程度上取决于终端设备AI能力的普及程度。PC制造商和智能手机厂商，如三星和苹果，正在积极探索AI技术在各自产品中的应用，以期带动市场需求。

　　日前，电子科技大学光电科学与工程学院刘富才教授团队联合复旦大学、中国科学院宁波材料技术与工程研究所在国际知名学术期刊《Science》上发表最新研究成果，开发出“耐疲劳铁电材料”，在全球范围内率先攻克困扰领域内70多年的铁电材料疲劳问题。中国科学家再次走在了世界前列。

　　铁电材料因具有超快的读写速度、断电后数据不丢失、以及超低功耗和抗辐照能力，是开发非易失性存储芯片的理想材料之一。此外，其具有可切换的电极化，被认为是实现类脑智能器件和存算一体架构的候选技术方案。然而，存储芯片存在读写次数限制，不可避免的疲劳失效问题，导致铁电材料存储器的读写次数受限，阻碍了铁电材料的实际应用。基于二维3R-MoS2滑移铁电材料，团队联合提出一种性能优异的抗疲劳铁电系统。为解决铁电材料领域长期存在的疲劳问题提供了一种全新途径，有望推动该材料在铁电存储器及类脑智能芯片等方面应用。