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欧美科学家联手取得硅芯片光通讯技术突破

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  一个由欧、美两地研究人员所组成的团队,让达到100Gbps的硅芯片上传输速度成为可能;该技术将特别有益于电信产业,并为全球不断增加的网络信息流量获得缓解之道。

  该研究团队成员分别来自瑞士ETH大学、比利时研究机构IMEC、美国Lehigh大学,以及德国Karlsruhe大学;他们成功制造出一种具备高度非线性特征、超高速的光波导(opticalwaveguide)架构。

  由于在这类组件中,光子信号不必再转换成电子信号,因此被视为是达成全光学信号传输的关键组件。为了达成这个目标,研究人员采用SOH(silicon-organichybrid)方案结合标准CMOS制程、深紫外光刻技术,以及有机中子束沉积(organicmolecularbeamdeposition)技术。

  这种仍在研发中的组件,是一个仅有4mm长的微小SOH波导,但在1.55μm的电信窗(telecommunicationswindow)中拥有105(Wkm)-1的创纪录非线性系数(nonlinearitycoefficient)。该芯片被研究人员视为SOH概念的例证,也是第一次可能确认该技术理论预测可达到的传输速度。

  研究人员掺杂了速率分别为42.7Gbps的四道信号,完成一个多任务170.8Gbps信号;这是迄今所展示过、速度最快的硅光子光学信号处理。他们表示,该实验证实了SOH波导技术应用于高频宽电信信号全光学处理的可行性,并克服现有全光交换技术的瓶颈。

  到目前为止,利用硅晶波导技术达成的数据传输速率,受限在40Gbps左右。而利用有机材料来填满波导间的缝隙(slot),则是沉积制程的主要功能。该芯片电路是由Karlsruhe大学的研究人员所设计,并在IMEC的硅光子平台上制造。

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