英飞凌推出具备更大爬电距离的宽体封装 - 安防知识网

2016年5月19日，德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司（FSE: IFX OTCQX: IFNNY）为其EiceDRIVER™ Compact隔离型门级驱动IC产品家族带来了宽体封装新成员。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封装，可增大爬电距离并改善热性能

　　2016年5月19日，德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)为其EiceDRIVER™ Compact隔离型门级驱动IC产品家族带来了宽体封装新成员。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封装，可增大爬电距离并改善热性能。

　　全新IC的爬电距离为8 mm，输入至输出隔离电压1200 V。它们专为驱动高压功率MOSFET和IGBT而设计。目标应用包括通用和光伏逆变器、工业变频器、电动汽车充电站、焊接设备及商用和农用车等。优化的引脚可简化PCB设计，实现低阻抗电源。与英飞凌EiceDRIVER™产品家族的其他成员一样，1EDI Compact 300 mil驱动基于英飞凌的无芯变压器技术。最新推出的驱动IC能实现最大6 A的输出电流。

　　产品信息与上市时间

　　该IC能在独立的灌电流和拉电流输出引脚分别提供驱动电流0.5A(1EDI05I12AH)、2A(1EDI20I12AH)、4A(1EDI40I12AH)和6A(1EDI60I12AH)的不同型号。这些器件的典型延迟为300纳秒。对于速度更高的应用，1EDI20H12AH和1EDI60H12AH的延迟有所缩短，只有120纳秒，非常适合于当今和未来的基于SiC-MOSFET的应用。另外三个型号(1EDI10I12MH、1EDI20I12MH和1EDI30I12MH)配有一个集成的米勒钳位，可提供相应的输出电流1A、2A和3A等规格。