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海力士完成业界首个 1bnm DDR5 服务器 DRAM 兼容性验证流程

海力士1bnm是其中第一个针对下一代英特尔至强可扩展平台和英特尔数据中心认证内存程序的一代产品。
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  5月30日消息,海力士宣布已经完成了1bnm的开发,这是10纳米工艺技术的第五代,并对针对英特尔至强处理器的DDR5产品的内存程序进行验证。

  海力士的DRAM开发主管Jonghwan Kim说,1bnm将在2024年上半年被LPDDR5T和HBM3E等产品所采用。

  英特尔内存和IO技术副总裁Dimitrios Ziakas表示:英特尔一直在与内存行业合作,以确保DDR5内存在英特尔至强可扩展平台上的兼容性;海力士1bnm是其中第一个针对下一代英特尔至强可扩展平台和英特尔数据中心认证内存程序的一代产品。

  ‎与此同时,海力士还表示,应用于下一代英特尔至强可扩展平台的1anm DDR5(其中第一个兼容性测试已经完成)也正在进行中。


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