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在相同的外形尺寸和热阈值下，QDual3模块能提供高出10%的功率
东芝（Toshiba）旗下的存储与电子元器件解决方案公司日前发布采用低高度SO8L封装的新型栅极驱动光电耦合器TLP5832，该产品提供2.5A峰值输出电流，可直接驱动中级IGBT。
安森美半导体IGBT技术可满足汽车、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电磁炉、电焊机和电机控制等各种不同应用需求。
全新RC-E系列IGBT采用单片集成逆导二极管实现谐振开关。这有助于降低器件的开关损耗和导通损耗。
节能环保趋势对变频器的要求日益提高。基于对中国市场客户需求的理解，英飞凌(Infineon)推出全新Advantage 系列IGBT产品
奖项认可器件为大功率开关系统在电源能效设立新的基准，实现了领先行业的总开关损耗(Ets)标准，降低开关损耗，增强电源能效。
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