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近日,亚德诺半导体(Analog Devices,Inc.,简称ADI) 旗下凌力尔特公司(Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧N沟道 MOSFET 驱动器LTC7000 -1,该器件采用高达150V的电源电压工作;其内部充电泵全面强化一个外部N沟道MOSFET开关,因而使之能无限期地保持导通。
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