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如今的汽车正处于彻底变成电子系统的交界点,最大限度减少了机械系统的采用,正在成为人们生活中最大、最昂贵的“数字化工具”。由于可用性和环保原因,以及提高内燃型、混合动力型和全电动型汽车行车安全的需求,市场逐步减少了对汽油的依赖,这正是“数字化”转变的驱动力。
现在发布的MOSFET采用6mm x 5mm PowerPAK SO-8封装,是目前最大导通电阻小于0.6mΩ的两颗25V MOSFET之一。与同类器件相比,SiRA20DP的典型栅极电荷更低,只有61nC,FOM为0.035Ω*nC,低32%。其他25V N沟道MOSFET的导通电阻则要高11%甚至更多。
近日,亚德诺半导体(Analog Devices,Inc.,简称ADI) 旗下凌力尔特公司(Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧N沟道 MOSFET 驱动器LTC7000 -1,该器件采用高达150V的电源电压工作;其内部充电泵全面强化一个外部N沟道MOSFET开关,因而使之能无限期地保持导通。
安森美半导体通过近期的收购,打造更全面的功率分立器件、IC和模块产品组合,支持更宽泛的电压,适用于汽车、工业、电机控制和 IoT 等行业。
飞凌科推出两个高达600V击穿电压的系列——600 V CoolMOS P7和600 V CoolMOS C7 Gold (G7)。其中,P7具备更高性价比,能够极大简化设计,不仅如此与竞品相较,树立了效率标杆。而G7适用于大电流设计,具备较低的导通电阻RDS(on)、最小的栅极电荷QG等。
Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET,超级结器件具有业内最低的RDS(ON)*Qg FOM,可用于通信、工业和企业应用。
如果对安全工作区(SOA)没有足够的重视,可能带来的后果是损害甚至破坏热插拔控制器。事实上MOSFET是热插拔电路可能出现故障的薄弱环节,因而可能会损害甚至破坏热插拔控制器。在选择 MOSFET过程中很重要的一环是,重点考虑电阻 (RDS(on)) 上漏-源极以及最大漏极电流 (ID(max))。又或者,基于负载电容较小的老款设计思路来考虑新设计, MOSFET就 能够很好的工作。大部分功率 MOSFET 针对低 RDS(on) 和快速开关进行了优化,很多电源系统设计师会习惯于根据这些特性来选择 MO
应确保选择 MOSFET 能够可靠处理热插拔应用中遇到的压力,这一点非常重要。
这些新型低电容瞬态抑制二极管面向移动设备高速接口,可为包括USB 3.0/3.1和HDMI在内的高速接口提供防静电放电(ESD)和防噪音保护
全新MOSFET利用优化其晶粒结构抑制切换时产出之涌浪电压及振铃,有效降低电磁干扰(EMI),此产品之创新研发已超越目前东芝现有产品。
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