全新MOSFET利用优化其晶粒结构抑制切换时产出之涌浪电压及振铃,有效降低电磁干扰(EMI),此产品之创新研发已超越目前东芝现有产品。
东芝(Toshiba)
半导体与储存产品公司新推出U-MOS九代低电压N通道功率MOSFET 40V与45V系列产品U-MOS9,具备低导通电阻和高速特性,全新结构有效降低“RDS(ON) Qsw,藉由降低输出电荷以改善输出时所产生之损耗,有助提高产品效率。
新产品采用东芝低电压最新世代沟槽结构的U-MOS九代制程,较前一代制程可实现更低的导通电阻及高速效率;此外,全新MOSFET利用优化其晶粒结构抑制切换时产出之涌浪电压及振铃,有效降低电磁干扰(EMI),此产品之创新研发已超越目前东芝现有产品。
东芝表示,全新U-MOS九代低电压N通道功率MOSFET系列有13个40V与5个45V产品是专为工业及消费性产品应用所设计,包含:高效率直流-直流转换器、高效率交流-直流转换器,电源供应器和马达驱动器。
新系列MOSFET的低导通电阻表现为RDS(ON)=0.80mΩ (max) @VGS= 10V (TPWR8004PL);RDS(ON)=0.99 mΩ (max) @VGS= 10V (TPW1R005PL),同时具有低输出电荷、高速、低切换杂讯、提供4.5V逻辑准位驱动等特性。