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现在发布的MOSFET采用6mm x 5mm PowerPAK SO-8封装，是目前最大导通电阻小于0.6mΩ的两颗25V MOSFET之一。与同类器件相比，SiRA20DP的典型栅极电荷更低，只有61nC，FOM为0.035Ω*nC，低32%。其他25V N沟道MOSFET的导通电阻则要高11%甚至更多。
Vishay Intertechnology近日宣布，将参加全球最大的发电行业展会POWER-GEN International2017，并展出用于石油和天然气、工业、铁路和可再生能源电源系统的最新的网格和绕带电阻。
光电二极管的感光面积达到7.5mm2，VEMD5510C的感光范围为440nm～700nm，VEMD5510CF的感光范围为440nm～620nm，反向光电流分别为0.6µA和0.25µA。
Vishay Siliconix DG3257非常适合用在便携式消费产品和医疗设备中切换模拟和数字信号，在4.2V下的电阻为5Ω，并且提高了带宽，减少了寄生电容，还有掉电保护功能。
Vishay Intertechnology, Inc.近日推出用于汽车和工业领域的新系列厚膜片式电阻---RCA-HP e3。Vishay Draloric RCA-HP e3系列器件具有优良的耐硫能力、出色的脉冲负载性能和高功率等级。
Vishay Intertechnology, Inc.近日推出新款表面贴装TMBSTrench MOS势垒肖特基整流器系列，该器件采用eSMP系列的SlimDPAK(TO-252AE)封装。Vishay General Semiconductor整流器比其它的DPAK(TO-252AA)封装的器件更薄，而散热性能更好，反向电压可以从45V到150V，正向导通压降低，电流等级高。
据悉，Vishay 宣布扩展其用于能量采集、备用电源和UPS电源的220 EDLC ENYCAP系列电力双层储能电容器。Vishay BCcomponents器件具有功率和储能版本，稳定性好，容值范围宽，有16mm x 20mm到18mm x 40mm的8种小外形尺寸。
据悉，Vishay近日推出新的磁性位置传感器---RAME027，其精度可与霍尔效应器件媲美，而且有更高的可靠性和更好的耐久性。一次可编程(OTP)的Vishay Sfernice RAME027在25℃下的精度为±0.33%，高度只有27mm。典型应用包括国防和工业用的操纵杆、电动执行器、机械工具、纺织品制造、铣床和机器人。
近日，Vishay 宣布推出业界首款用于高频RF和微波应用的表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC)---VitramonVJ HIFREQ HT系列，其工作温度范围可以达到+200 C。对于通信基站和国防通信系统，Vishay 的VitramonVJ HIFREQ HT系列提供了四种紧凑型尺寸，都具有超高Q和低ESR。
据悉，Vishay推出新的符合JEDEC MO-137 variation AB和AE的16pin和24pin版本，扩充其采用25mil引脚间距QSOP封装的OSOP系列表面贴装双路直排式薄膜网络电阻。Vishay Dale薄膜网络电阻提供隔离式，共用末位pin脚和定制的电路，电阻相对公差为±0.025%，相对TCR低至±5ppm ℃，可实现比竞争器件更高的精度。
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