Vishay的低ESR电容器可承受75V的过电压 - 安防知识网

新的电容器使用模塑EE(7343-43)外形编码，单位体积的电容比同类器件高25%，能够实现更高的电容和电压等级。

　　Vishay Intertechnology, Inc.推出新系列vPolyTan多阳极聚合物表面贴装片式电容器T59。该电容器提高了体积效率，可用于计算、通信和工业应用。T59系列使用了聚合物钽材料技术和Vishay拥有专利的多阵列封装(MAP)，具备极高的电容密度，并保持良好的ESR性能。

　　新的电容器使用模塑EE(7343-43)外形编码，单位体积的电容比同类器件高25%，能够实现更高的电容和电压等级。例如，这些电容器在30V下的电容为150μF，比最接近的对标器件的电容高三倍。另外，T59系列的封装十分先进，使器件在+25℃和100kHz条件下保持25mΩ～150mΩ的超低ESR。

　　器件的电容从15μF到470μF，电容公差为±20%，可承受75V的过电压。T59系列电容器可用在固态驱动器、网络设备和主板里，能取代多个较低电容的器件，减少元器件数量，节省电路板空间，降低成本。在这些产品当中，这些电容器可用于解耦、平滑、滤波和储能应用。

　　在100kHz下，T59系列的纹波电流从1.3A到3.1A，工作温度范围为-55℃～+105℃。器件符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素，提供无铅和锡/铅(Sn/Pb)卷包端接，采用符合EIA-481标准的卷带包装。电容器进行了100%的浪涌电流测试，确保在高涌入电流应用里的鲁棒性。