中芯国际与Crossbar结晶 40nm ReRAM芯片出样

2017-01-18 09:04 阅读 1329 来源：智能电子集成评论区

据介绍，与NAND芯片相比，中芯国际试产的ReRAM芯片具备诸多优势。另外，按计划更先进的28nm工艺ReRAM芯片也将在2017年上半年问世。

　　近日，中芯国际与Crossbar结晶即40nm ReRAM存储芯片出样，与NAND芯片相比，具备诸多优势。另外，按计划更先进的28nm工艺ReRAM芯片也将在2017年上半年问世。

　　目前在下一代存储芯片的研发当中，除了3D XPoint芯片外还有ReRAM芯片(非易失性阻变式存储器)。中芯国际将采用自家的40nm CMOS试产ReRAM芯片。

　　据介绍，这种芯片比NAND芯片性能更强，密度比DRAM内存高40倍，读取速度快100倍，写入速度快1000倍，耐久度高1000倍，单芯片(200mm2左右)即可实现TB级存储，还具备结构简单、易于制造等优点。

中芯国际与Crossbar结晶 40nm ReRAM芯片出样

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