新世代的ReRAM在量产后可望凭借技术优势和三星、东芝等大厂竞争目前由NAND Flash主导的庞大内存市场。
联电(UMC)和松下
半导体（Panasonic Semiconductor Solutions, PSCS）宣布将针对新一代可变电阻式内存（ReRAM）合作开发次世代40纳米制程技术，预计2018年出样。新世代的ReRAM在量产后可望凭借技术优势和三星、东芝等大厂竞争目前由NAND Flash主导的庞大内存市场。
ReRAM是与NAND Flash一样的非挥发性内存，可藉由电压脉冲于金属氧化物薄膜，产生的大幅度电阻变化以记录1和0。其制程化繁为简，由两电极间简易金属氧化物架构组成，使其同时有低功耗和高写入速度的优点。PSCS于2013年即开始量产0.18微米制程ReRAM，并与8位元微控制器共同搭载在可携式医疗装置当中。
由于DRAM及2D NAND Flash制程微缩已达物理瓶颈，除在电晶体架构上往3D架构发展外，新一代ReRAM已成许多内存厂或系统业者争相布局的市场。PSCS在与日本富士通（Fujitsu）合作开发ReRAM后，昨日宣布与联电建立合作关系，投入40纳米ReRAM制程开发。
PSCS总裁Kazuhiro Koyama指出，该公司是最早推动ReRAM量产的公司，此次合作结合了PSCS的ReRAM制程和联电的CMOS制程技术，将加快市场采用ReRAM的脚步。
据表示，两家公司合作开发的次世代ReRAM不仅能应用在IC卡及穿戴装置，也能大量应用在成长快速的物联网应用中，相关晶片将在2018年开始进行送样，并可望在2019年进入量产。
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