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ASU与UTD成功开发CMOS电路

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    美国亚利桑那州大学(Arizona State University;ASU)软性显示器中心(Flexible Display Center)与德州大学达拉斯分校(UT-Dallas)联合宣布,研究人员们已成功在软性塑料基板(Flexible Plastic Substrate)上制作CMOS电路系统;这项成功的开发将可促进软性电子的更多新应用。

    「软性CMOS晶体管的开发是一个重大的进展,」德州大学达拉斯分校研究中心兼电子工程系教授Bruce Gnade说到,「这代表着朝向开创更高阶软性电子电路系统的第一步,就如同当年的逻辑和内存。」

    这个研究及开发计划的重点是结合N型非晶硅及P型有机硅这两种类型的薄膜晶体管( TFT ),在高温聚酯薄膜──也就是软性PEN (polyethylene napthalate)上制作CMOS逻辑闸,在NMOS及PMOS晶体管间的电子二元性实现大幅度降低软性电路的功率消耗。

    此外,新的塑料CMOS电路可显示出特殊的功率效能,耗电量只有传统薄膜晶体电路的三分之一,使软性CMOS可理想的运用于潜在应用,如智慧医疗绷带或检伤分类贴片( Triage Patche)。

    「这一研究和开发工作的目的是加速软性电子产品的发展,」亚利桑那州大学软性显示器中心Backplane Electronics研发总监David Alle表示,「所展示的这项开发将为软性电子应用开辟无限可能性。」

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