今年第三季度,NAND闪存依然处于供给吃紧的状态,主要是颗粒厂面向3D工艺的转型步伐较慢,低于预期。
而需求方面,手机、服务器、数据中心依然表现强势。
不过,来自集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)的最新报告称,在明年,NAND闪存的市场将达到一种稳态局面。其中,供给侧的产能将提升42.9%,而需求侧,增长预计在37.7%。
目前在3D闪存方面,三星的转产最为顺利,已经在Q3开始量产64层堆叠,而其它厂商的64层甚至72层则仍需要2018年落地。
据悉,在明年的所有3D闪存中,3D闪存出货的占比预计将最高可达70%,其中三星预计60%~70%、SK海力士预计40%~50%、东芝预计50%、美光/Intel合计预计在40%~50%。