新思科技近日宣布与GLOBALFOUNDRIES (GF)合作，针对GF的12纳米领先性能(12LP) FinFET工艺技术，开发覆盖面广泛的DesignWare® IP组合，包括多协议25G、USB 3.0和2.0、PCI Express® 2.0、DDR4、LPDDR4/4X、MIPI D-PHY、SD-eMMC和ADC/DAC转换器。新思科技基于GF 12LP工艺的DesignWare IP使设计人员能够借助GF的12LP技术，在其人工智能(AI)、云计算、移动和消费片上系统(SoC)中实现最新的接口和模拟IP解决方案。与前几代FinFET相比，12LP技术在逻辑密度上提高了10%，性能提高了15%以上。基于两家公司长期伙伴关系，双方已联手开发出针对GF从180纳米到12纳米工艺的DesignWare IP。
GF生态系统副总裁Mark Ireland表示：“为了满足对差异化、功能丰富的FinFET产品日益增长的需求，我们正在与新思科技合作，在GF的工艺中提供高质量的IP，使设计人员能够将差异化产品推向广泛的细分市场。我们的12LP工艺与3D FinFET晶体管技术和新思科技高性能DesignWare IP的结合，使我们的共同用户能够加速实现量产。”
新思科技IP营销副总裁John Koeter表示：“作为接口IP的领先供应商，新思科技继续与GF等主要代工厂合作，提供面向最新FinFET工艺技术的DesignWare IP解决方案。通过新思科技针对GF 12LP工艺的DesignWare IP组合，设计人员能够有效地将必要的功能整合进复杂的芯片中，同时满足其移动和高端计算应用的带宽和功耗要求。”
上市
DesignWare多协议25G PHY和 ADC/DAC转换器IP解决方案现已上市。DesignWare USB 3.0和2.0、PCI Express 2.0、DDR4、LPDDR4/4X、MIPI D-PHY和SD-eMMC IP解决方案正在开发中，计划于2019年下半年上市。
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