Pasternack公司新推出采用砷化镓(GaAs) HBT MMIC半导体技术的新款低相位噪声放大器，能在宽动态范围内提供超低相位噪声性能。这些放大器可用于帮助优化高性能测试、雷达及通信接收机设计的灵敏度和动态范围，而这些测试和设计性能的优劣主要取决于对最大及最小信号的处理有效性。

　　针对需要对接近本底噪声的较弱信号进行放大的系统，此类放大器的低相位噪声性能有助于降低对发射信号的质量具有抑制作用的非所需噪声和失真。此类放大器的典型用途包括电子战，微波无线电，甚小孔径终端(VSAT)，雷达，空间系统，测试仪器和电信基础设施。

　　新型低相位噪声放大器分为五种型号，覆盖1.5~18GHz范围内的精选频段，10KHz偏移量下的残余相位噪声低至-180dBc/Hz。这些新产品的其他性能规格参数包括：9~14dB的小信号增益;典型噪声系数为5.5dB;饱和功率(Psat)水平为+16~+25dBm;输出IP3水平高达+34dBm;所有产品均采用单路直流电压供电;输入/输出射频端口通过隔直电容实现50奥姆内部匹配。

　　此外，上述产品均为无需添设外部组件的小巧模块组合体，而且采用耐用的插入式可伐合金(Kovar)金属封装。此类封装镀有金包镍层，而且支持可现场更换SMA连接器。另外，这些产品还均为EAR99类产品，且保证满足MIL-STD-883标准的密封性和温度循环测试条件。