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华为子公司投资第三代半导体材料公司

据悉,山东天岳是我国第三代半导体材料碳化硅龙头企业。碳化硅是制造高温、高频、大功率半导体器件的理想衬底材料,综合性能较硅材料可提升上千倍,被誉为固态光源、电力电子、微波射频器件的“核芯”。
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  根据天眼查显示,华为旗下的哈勃科技投资有限公司,近日投资了山东天岳先进材料科技有限公司,持股10%。

  据悉,山东天岳是我国第三代半导体材料碳化硅龙头企业。碳化硅是制造高温、高频、大功率半导体器件的理想衬底材料,综合性能较硅材料可提升上千倍,被誉为固态光源、电力电子、微波射频器件的“核芯”。

  据资料显示,华为哈勃投资的山东天岳公司成立于2011年12月,是全球第4家碳化硅衬底材料量产的企业,同时具备了导电型和高纯半绝缘两种工艺,尺寸覆盖2-6英寸。2016年,山东天岳“宽禁带功率半导体产业链项目”被国家发展改革委纳入《国家集成电路“十三五”重大生产力布局》项目。

  今年二月,山东天岳碳化硅功率半导体芯片研发与产业化项目正式开工。

  据了解,天岳的碳化硅功率半导体芯片及电动汽车模组研发与产业化项目是济南2019年市级重点项目之一,该项目总投资65000万元,项目总占用厂房面积为2400平方米,主要将建设碳化硅功率芯片生产线和碳化硅电动汽车驱动模块生产线各一条,利用厂区原有厂房的空置区域建设。

  据山东天岳官方消息,本项目以硅烷和甲烷在氢气和氩气条件下制得SiC衬底外延片后,经掩膜淀积、光刻、显影、灰化、刻蚀和检验封装等工序,生产SiC MOSFET晶体管,设计年生产规模为400万只/年;以碳化硅外延材料为原料,经晶圆标记、离子注入、厂板淀积、欧姆接触、肖特基电极、钝化层制备等工序,生产SiC功率二极管,设计年生产规模为1200万只/年;以碳化硅芯片为原料,经焊接、清洗、铝引线键合灌封硅凝胶等工序,生产碳化硅电动汽车驱动模块,设计年生产规模为1万只/年。

  至于哈勃科技投资有限公司,今年四月,来自启信宝数据显示,华为新成立了一家投资公司,名为哈勃科技投资有限公司。这家公司注册资本为7亿元人民币,由华为投资控股有限公司100%控股。哈勃科技投资有限公经营范围是创业投资业务,法定代表人、董事长以及总经理均为白熠,他同时担任华为全球金融风险控制中心总裁。


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