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普渡大学开发出可同时计算和存储的芯片

未来如果这种芯片的进一步改进将有利于类脑计算的发展。
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  据报道,普渡大学(Purdue University)的工程师从材料的角度进行创新,实现了芯片在计算的同时也可以存储。研究人员称,未来如果这种芯片的进一步改进将有利于类脑计算的发展。

  这种方法在《自然电子》上发表的一篇论文中进行了详细介绍,它通过解决另一个问题来实现这一目标:将晶体管与比大多数计算机中使用的性能更高的存储技术相结合,称为铁电性RAM。将用于处理信息的数百万个微型开关(通常称为晶体管)也能在芯片上进行信息的存储。

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  研究人员数十年来一直试图将两者整合在一起,但问题在于铁电材料和硅(构成晶体管的半导体材料)之间的界面。另外,铁电RAM作为片上的独立单元运行,从而限制了其大幅提升计算效率的潜力。

  由普渡大学电气与计算机工程教授Peide Ye,Richard J.和Mary Jo Schwartz带领的团队发现了如何克服硅与铁电材料之间致命的敌对关系的方法。

  “我们使用了具有铁电特性的半导体。两种材料就变成一种材料,这样就不必担心接口问题。” Ye说。 结果就成为了所谓的铁电半导体场效应晶体管,其构建方式与当前计算机芯片上使用的晶体管相同。

  α硒化铟材料不仅具有铁电性能,而且还解决了“ 禁带宽度 ” 通常充当绝缘体而不是半导体常规铁电材料的问题,这意味着电流无法通过并且没有计算发生。

  α-硒化铟的禁带宽度小得多,这使得这种材料成为半导体而不会失去铁电性能。

  普渡大学电气和计算机工程博士后研究员Mengwei Si构建并测试了该晶体管,发现其性能可与现有的铁电场效应晶体管相媲美,并表示通过一步优化性能还会更好。普渡大学电气与计算机工程助理教授Sumeet Gupta,获得博士学位的Atanu Saha对建模提供了支持。

  Si和Ye的团队还与佐治亚理工学院的研究人员合作,将α-硒化铟建立在称为铁电隧道结的芯片空间中,工程师可以利用该空间来增强芯片的功能。该团队在12月9日在2019 IEEE国际电子设备会议上介绍了这项研究工作。

  过去,研究人员无法建立高性能的铁电隧道结,因为它的宽带隙使材料太厚,无法通过电流。由于α-硒化铟的带隙小得多,因此该材料的厚度仅为10纳米,从而可以允许更多的电流流过。

  更大的电流可以让芯片的面积缩小至几纳米,从而使芯片的晶体管密度更高、更节能。Ye补充表示,较薄的材料-甚至可以减小到原子的厚度,也意味着隧道结两侧的电极可以小得多,这对于构建模拟人脑的电路非常有用。


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