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第三代半导体发展计划预计10月公布

与第一代的硅(Si)和第二代的 III-V 族化合物相比,第三代碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)具有强大的功率处理能力、较高的开关频率、更高的电压驱动能力、更小的尺寸、更高的效率和更高速的散热能力。
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  有消息指出,中国正在制定在十四五规划期间的第三代半导体发展计划,预计该计划在2020年10月公布。

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  与第一代的硅(Si)和第二代的 III-V 族化合物相比,第三代碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)具有强大的功率处理能力、较高的开关频率、更高的电压驱动能力、更小的尺寸、更高的效率和更高速的散热能力。

  根据法国半导体市场调查公司Yole数据,到2024年SiC功率半导体市场规模将增长至20亿美元,其中,汽车市场占SiC功率半导体市场比重到2024年预计将达50%。

  盘面上,聚灿光电涨逾15%,易事特、乾照光电、赛微电子等个股跟涨。

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