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UltraRAM 技术新突破:可整合内存与闪存

具体来看,UltraRAM 芯片的制造工艺,与 LED、激光器、光电晶体管等半导体元件相似。从结构上看,这种存储技术采用硅衬底,相比砷化镓成本大幅降低。芯片具有复杂的多层结构,中央的结构还使用了氧化铝进行隔离。

  根据外媒 techspot 报道,本月早些时候,英国兰开斯特大学物理与工程系的研究人员发表了一篇论文,详细介绍了 UltraRAM“超高效存储”技术近期取得的重要进展。

  这项技术的目标是将非易失闪存 NAND、易失性内存 RAM 结合在一起,兼顾能效,具有极高的耐用性。此前,英特尔 Optane 傲腾已经做出了先行尝试,量产了傲腾内存产品,但是仍不足以完全替代 RAM。与此同时,三星也有 Z-NAND 技术,铠侠和西部数据也希望将 XL-FLASH 存储应用到消费级或企业级存储产品中。

  具体来看,UltraRAM 芯片的制造工艺,与 LED、激光器、光电晶体管等半导体元件相似。从结构上看,这种存储技术采用硅衬底,相比砷化镓成本大幅降低。芯片具有复杂的多层结构,中央的结构还使用了氧化铝进行隔离。

  

芯片结构详解


  科学家表示,UltraRAM 的制造成本比较低,其拥有很高的性价比。目前已经制造出的测试用原型,可以保证数据能够保存 1000 年,擦写次数可以超过 1000 万,几乎不需要考虑耐久性。如果这种存储芯片能够实现比肩传统 RAM 的速度的话,将会对行业产生重大影响。

  制造过程图解:

image.png

  UltraRAM 使用“共振隧穿”量子力学效应,在施加电压后,允许势垒从不透明转为透明。与 RAM 和 NAND 闪存使用的写入技术相比,UltraRAM 的写入过程非常节能,因此有助于提高移动设备的续航时间。

  兰开斯特大学的研究人员表示,他们需要进一步改进存储单元的制造工艺,提高存储密度。这项技术有很大的潜力,可以消除传统计算机与专用内存进行数据传输的过程。


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