a&s专业的自动化&安全生态服务平台
公众号
安全自动化

安全自动化

安防知识网

安防知识网

手机站
手机站

手机站

大安防供需平台
大安防供需平台

大安防供需平台

资讯频道横幅A1
首页 > 资讯 > 正文

台积电正式公布 2nm 制程

台积电称 FINFLEX 扩展了 3nm 系列半导体技术的产品性能、功率效率和密度范围,允许芯片设计人员使用相同的设计工具集为同一芯片上的每个关键功能块选择最佳选项。
资讯频道文章B

  台积电在 2022 年技术研讨会上介绍了关于未来先进制程的信息,N3 工艺将于 2022 年内量产,后续还有 N3E、N3P、N3X 等,N2(2nm)工艺将于 2025 年量产。

  台积电首先介绍了 N3 的 FINFLEX,包括具有以下特性的 3-2 FIN、2-2 FIN 和 2-1 FIN 配置:

  ●3-2 FIN – 最快的时钟频率和最高的性能满足最苛刻的计算需求;

  ●2-2 FIN – Efficient Performance,性能、功率效率和密度之间的良好平衡;

  ●2-1 FIN – 超高能效、最低功耗、最低泄漏和最高密度。

  台积电称 FINFLEX 扩展了 3nm 系列半导体技术的产品性能、功率效率和密度范围,允许芯片设计人员使用相同的设计工具集为同一芯片上的每个关键功能块选择最佳选项。

  而在 N2 方面,台积电称这是其第一个使用环绕栅极晶体管 (GAAFET) 的节点,而非现在的 FinFET(鳍式场效应晶体管)。新的制造工艺将提供全面的性能和功率优势。在相同功耗下,N2 比 N3E 速度快 10~15%;相同速度下,功耗降低 25~30%。不过,与 N3E 相比,N2 仅将芯片密度提高了 10% 左右。

  N2 工艺带来了两项重要的创新:纳米片晶体管(台积电称之为 GAAFET)和 backside power rail。GAA 纳米片晶体管的通道在所有四个侧面都被栅极包围,从而减少了泄漏;此外,它们的通道可以加宽以增加驱动电流并提高性能,也可以缩小以最大限度地降低功耗和成本。为了给这些纳米片晶体管提供足够的功率,台积电的 N2 使用 backside power rail,台积电认为这是在 back-end-of-line (BEOL) 中对抗电阻的最佳解决方案之一。


参与评论
回复:
0/300
文明上网理性发言,评论区仅供其表达个人看法,并不表明a&s观点。
0
关于我们

a&s传媒是全球知名展览公司法兰克福展览集团旗下的专业媒体平台,自1994年品牌成立以来,一直专注于安全&自动化产业前沿产品、技术及市场趋势的专业媒体传播和品牌服务。从安全管理到产业数字化,a&s传媒拥有首屈一指的国际行业展览会资源以及丰富的媒体经验,提供媒体、活动、展会等整合营销服务。

免责声明:本站所使用的字体和图片文字等素材部分来源于互联网共享平台。如使用任何字体和图片文字有冒犯其版权所有方的,皆为无意。如您是字体厂商、图片文字厂商等版权方,且不允许本站使用您的字体和图片文字等素材,请联系我们,本站核实后将立即删除!任何版权方从未通知联系本站管理者停止使用,并索要赔偿或上诉法院的,均视为新型网络碰瓷及敲诈勒索,将不予任何的法律和经济赔偿!敬请谅解!
© 2024 - 2030 Messe Frankfurt (Shenzhen) Co., Ltd, All rights reserved.
法兰克福展览(深圳)有限公司版权所有 粤ICP备12072668号 粤公网安备 44030402000264号
用户
反馈